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Détails sur le produit:
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| Mettre en évidence: | Oxyde de béryllium d'industrie de la microélectronique en céramique,Oxyde de béryllium d'industrie de la microélectronique en céramique,Industrie BeO de la microélectronique en céramique |
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Oxyde de béryllium en céramique
Nous fabriquons principalement l'oxyde de béryllium, la nitrure de bore, le carbure de silicium, la mullite de corindon en céramique, les A-75 en céramique, les A-95 en céramique, les A-96 en céramique, les A-99 en céramique et d'autres produits en céramique, qui sont très utilisés dans l'espace, la microélectronique, l'optoélectronique, les communications, le vide électrique et les industries électroniques de puissance, parmi lesquels la technologie de production de la céramique d'oxyde de béryllium représente le de plus haut niveau en Chine, et les index de performance des produits atteignent le niveau avancé du monde.
Données de technique d'oxyde de béryllium en céramique
| Article | Conditions d'essai | Spécifications | Unité | |
| B-97 | B-99 | |||
| Constante diélectrique | 1MHz | 6,9 士 0,4 | 6,9 士 0,4 | |
| (10 士 0,5) gigahertz | ||||
| Tangente de perte diélectrique | 1MHz | ≤4X 10-4 | ≤4X 10-4 | |
| (10 士 0,5) gigahertz | ≤8X 10-4 | ≤8X 10-4 | ||
| Résistivité volumique | 25℃ | ≥1014 | ≥1014 | Ω.cm |
| 300℃ | ≥10 » | ≥10 » | ||
| Force de panne | D C | ≥15 | ≥20 | kV/mm |
| CMOR | - | ≥170 | ≥190 | MPA |
| Coefficient linéaire moyen d'expansion | 25℃~500℃ | (7.0~8.5) *10-4 | (7.0~8.5) *10-4 | I/K |
| Conduction thermique | 25℃ | ≥200 | ≥240 | W/m.K |
| 100℃ | ≥160 | ≥190 | ||
| Résistance de choc thermique | 0℃-800℃ | Il ne devrait y avoir aucune fissure | ||
| Densité de la masse | ≥2.85 | ≥2.85 | g/ cm3 | |
| Stabilité chimique | 1:9HCL | ≤0.3 | ≤0.3 | Mg/cm2 |
| NaOH de 10% | ≤0.2 | ≤0.2 | ||
| Étanchéité d'air | - | ≤10*10-11 | ≤10*10-11 | PA. m3 /s |
| Grosseur du grain moyen | - | 12~30 | 12~30 | μm |
Personne à contacter: Mr. Pika
Téléphone: 86-13838387996
Télécopieur: 86-0371-56010932
